China Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Te koop
China Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Te koop
  1. China Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Te koop
  2. China Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Te koop
  3. China Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Te koop
  4. China Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Te koop
  5. China Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Te koop

Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie

Prijs 10USD/PC
MOQ 1 PC
Tijd om te bezorgen 7 work days
Merk ZG
Plaats van oorsprong China
Certification CE
Modelnummer Lidstaten
Verpakking Sterke houten doos voor wereldwijde scheepvaart
Betalingsvoorwaarden L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Toeleveringsvermogen 1000 stuks

Productdetails

Productspecificatie

Brand Name ZG Modelnummer Lidstaten
Certification CE Plaats van oorsprong China
Minimale bestelhoeveelheid 1 stuks Price 10USD/PC
Betalingsvoorwaarden L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram Toeleveringsvermogen 1000 stuks
Leveringstermijn 7 werkdagen Verpakking Sterke houten doos voor wereldwijde scheepvaart

product beschrijving

Siliciumcarbide (sic) bakken, als een waferhouder voor Icp etsen proces in led industrie

Siliciumcarbide (SiC) is een materiaal met een uitstekende thermische geleidbaarheid, corrosiebestandheid en een lage thermische expansie.Siliciumcarbidebakken hebben een uitstekende corrosiebestendigheidWe leveren veel maten van siliconcarbidebakken en andere SiC-producten.

Eigenschappen van materialen:

Productieprocessen:

Eigenschappen van siliconcarbidebakken

Samengestelde formule SiC
Moleculair gewicht 40.1
Uiterlijk Zwart
Smeltepunt 2,730° C (4,946° F) (ontbindt)
Dichtheid 30,0 tot en met 3,2 g/cm3
Elektrische weerstand 1 tot en met 4 10x Ω-m
Poisson's ratio 0.15 tegen 0.21
Specifieke warmte 670 tot 1180 J/kg-K


Specificaties voor de siliconcarbidebak

Type Gekristalliseerd SiC Sinterde SiC Reactiegebonden SiC
Reinheid van siliciumcarbide 990,5% 98% > 88%
Max. werktijd. 1650 1550 1300
Bulkdichtheid (g/cm3) 2.7 3.1 > 3
Uiterlijk Porositeit 2.5 0.1
Buigsterkte (MPa) 110 400 380
Vergroting van de druksterkte (MPa) > 300 2200 2100
Thermische uitbreiding (10^-6/`C) 4.6 (1200 ̊C) 4.0 ( 4.4 (
Thermische geleidbaarheid (W/m.K) 35 tot 36 110 65
Hoofdkenmerken Hoge temperatuur, hoge weerstand.
Hoge zuiverheid
Fractuursterkte Chemische weerstand


Voorwaarde voor kenmerken:

  1. Uitstekende warmtegeleiding
  2. Plasmaschokbestendig
  3. Goede temperatuuruitwisseling


Toepassingen van siliciumcarbidebakken

- Siliciumcarbide kan worden toegepast op gebieden als halfgeleiders en coating.
- Onze siliconcarbidebakken worden veel gebruikt in de LED-industrie.

Verpakking van siliciumcarbide

Onze Silicon Carbide Trays worden zorgvuldig behandeld om schade tijdens opslag en transport te minimaliseren en om de kwaliteit van onze producten in hun oorspronkelijke staat te behouden.

Kwaliteitscontrole:

HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
  • Jaarlijkse omzet: 5000000-8000000
  • Medewerkers: 50~100
  • Opgericht in het jaar: 2007