Nederlands
Aanmelden
| Prijs | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| Tijd om te bezorgen | 2-15days |
| Merk | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Plaats van Oorsprong | China |
| Certification | ROHS |
| ModelNumber | IRF1404ZPBF |
| Verpakkingsdetails | standaardpakket |
| Betalingsvoorwaarden | T/T, Western Union |
| Leveringscapaciteit | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | ModelNumber | IRF1404ZPBF |
| Certification | ROHS | Plaats van Oorsprong | China |
| Minimumordehoeveelheid | 10pieces | Price | Negotiated |
| Betalingsvoorwaarden | T/T, Western Union | Leveringscapaciteit | 500000PCS |
| Levertijd | 2-15days | Verpakkingsdetails | standaardpakket |
| Familie | Discrete halfgeleiderproducten | Categorie | Elektronische componenten-MOSFET (metaaloxide) |
| Reeks | HEXFET MOSFET (metaaloxide) | Basisartikelnummer | IRF1404 |
| Details | N-kanaal 180A (Tc) 200W (Tc) Through-hole TO-220AB | Type | Transistors - FET's, MOSFET's - Single |
| Beschrijving | MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB | Pakket | TO220 |
| Opzettend Type | Door Gat | Voorraad | In voorraad |
IRF1404ZPBF Transistors N-kanaal 180A 200W Through-hole TO-220AB HEXFET FET's MOSFET's
N-kanaal 180A (Tc) 200W (Tc) Through-hole TO-220AB Specificatie:
|
Categorie
|
Discrete
halfgeleiderproducten
|
|
Transistors
-
FET's,
MOSFET's
-
Single
|
|
|
Mfr
|
Infineon-technologieën
|
|
Serie
|
HEXFET®
|
|
Pakket
|
Buis
|
|
FET-type
|
N-kanaal
|
|
Technologie
|
MOSFET
(metaaloxide)
|
|
Afvoer
naar
bronspanning
(Vdss)
|
40
V
|
|
Stroom
-
Continue
afvoer
(Id)
@
25°C
|
180A
(Tc)
|
|
Aandrijfspanning
(Max
Rds
Aan,
Min
Rds
Aan)
|
10V
|
|
Rds
Aan
(Max)
@
Id,
Vgs
|
3.7mOhm
@
75A,
10V
|
|
Vgs(th)
(Max)
@
Id
|
4V
@
250µA
|
|
Poortlng
(Qg)
(Max)
@
Vgs
|
150
nC
@
10
V
|
|
Vg
(maximaal)
|
±20V
|
|
Ingangscapaciteit
(Ciss)
(Max)
@
Vds
|
4340
pF
@
25
V
|
|
FET-functie
|
-
|
|
Vermogensdissipatie
(Max)
|
200W
(Tc)
|
|
Bedrijfstemperatuur:
|
-55
°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Montage
type
|
Doorgaand
gat
|
|
Apparaatpakket
van
leverancier
|
TO-220AB
|
|
Pakket/Geval:
|
TO-220-3
|
|
Basisproductnummer
|
IRF1404
|
Beschrijving
Deze HEXFET® Power MOSFET maakt gebruik van de nieuwste verwerkingstechnieken om een extreem lage aan-weerstand per siliciumgebied te bereiken.
Extra kenmerken van dit product zijn een bedrijfstemperatuur van de knooppunten van 175°C, een hoge schakelsnelheid en een verbeterde classificatie van herhaalde lawines.Deze eigenschappen maken dit ontwerp samen tot een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.
| ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
|---|---|
| RoHS-status | ROHS3-compatibel |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
| REACH-status | REACH Onaangetast |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| Onderdeel nummer | IRF1404ZPBF |
| Basis onderdeelnummer | IRF1404 |
| EU RoHS | Voldoet aan vrijstelling |
| ECCN (VS) | EAR99 |
| Onderdeelstatus | Actief |
| HTS | 8541.29.00.95 |
