Nederlands
Aanmelden
| Prijs | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| Tijd om te bezorgen | 2-15days |
| Merk | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Plaats van Oorsprong | China |
| Certification | ROHS |
| ModelNumber | IHW30N160R2FKSA1 |
| Verpakkingsdetails | standaardpakket |
| Betalingsvoorwaarden | T/T, Western Union |
| Leveringscapaciteit | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | ModelNumber | IHW30N160R2FKSA1 |
| Certification | ROHS | Plaats van Oorsprong | China |
| Minimumordehoeveelheid | 10pieces | Price | Negotiated |
| Betalingsvoorwaarden | T/T, Western Union | Leveringscapaciteit | 500000PCS |
| Levertijd | 2-15days | Verpakkingsdetails | standaardpakket |
| Familie | Discrete halfgeleiderproducten | Categorie | Elektronische componenten - IGBT-transistoren |
| IGBT-TYPE: | NPT, Trench Field Stop | Basisartikelnummer | H30R1602 |
| Details | IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 | Toepassingen | Inductief koken (Soft Switching-toepassingen) |
| Beschrijving | IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through-hole PG-TO247-3-1 | Pakket | TO247 |
| Opzettend Type | Door Gat | Voorraad | In voorraad |
IHW30N160R2 IGBTs Transistors H30R1602 Soft Switching Series Vermogen Halfgeleiders IC IHW30N160R2FKSA1Soft Switching-serie
Toepassingen:
•
Inductief
koken
•
Soft
Switching-toepassingen
Beschrijving:
TrenchStop®
Reverse
Conducting
(RC-)IGBT
met
monolithische
lichaamsdiode
Functies:
•
Krachtige
monolithische
Body
Diode
met
zeer
lage
voorwaartse
spanning
•
Lichaamsdiode
klemt
negatieve
spanningen
vast
•
Trench-
en
Fieldstop-technologie
voor
1600
V-toepassingen
biedt:
-
zeer
strakke
parameterverdeling
-
hoge
robuustheid,
temperatuurstabiel
gedrag
•
NPT-technologie
biedt
gemakkelijke
parallelle
schakelmogelijkheden
dankzij:
positieve
temperatuurcoëfficiënt
in
VCE(sat)
•
Lage
EMI
•
Gekwalificeerd
volgens
JEDEC1
voor
doeltoepassingen
•
Pb-vrij
loodbeplating;RoHS-conformiteit
Specificatie:IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through-hole PG-TO247-3-1
| Onderdeel nummer | IHW30N160R2 |
|
Categorie
|
Discrete
halfgeleiderproducten
|
|
Transistors
-
IGBT's
-
Single
|
|
|
Serie
|
TrenchStop®
|
|
Pakket
|
Buis
|
|
IGBT-type:
|
NPT,
Trench
Field
Stop
|
|
Spanning
-
Storing
collector-emitter
(max.)
|
1600
V
|
|
Stroom
-
Collector
(Ic)
(Max)
|
60
A
|
|
Stroom
-
Collector
gepulseerd
(Icm)
|
90
A
|
|
Vce(aan)
(Max)
@
Vge,
Ic
|
2.1V
@
15V,
30A
|
|
Vermogen
-
Max
|
312
W
|
|
Energie
wisselen
|
4.37mJ
|
|
Invoertype
|
Standaard
|
|
Gate
Charge
|
94
nC
|
|
Td
(aan/uit)
@
25°C
|
-/525ns
|
|
Test
conditie
|
600V,
30A,
10Ohm,
15V
|
|
Bedrijfstemperatuur:
|
-40°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Montage
type
|
Doorgaand
gat
|
|
Pakket/Geval:
|
TO-247-3
|
|
Apparaatpakket
van
leverancier
|
PG-TO247-3-1
|
| ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
|---|---|
| RoHS-status | ROHS3-compatibel |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
| REACH-status | REACH Onaangetast |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| Onderdeel nummer | IHW30N160R2FKSA1 |
| Basis onderdeelnummer | IHW30N160R2 |
| EU RoHS | Voldoet aan vrijstelling |
| ECCN (VS) | EAR99 |
| Onderdeelstatus | Actief |
| HTS | 8541.29.00.95 |
