V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS-barrière Schottky-gelijkrichter

V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Hoge stroomdichtheid TMBS Trench MOS-barrière Schottky-gelijkrichter DPAK discrete halfgeleiderproducten
 
V20PWM45 :High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) gelijkrichter Ultra Low VF = 0,35 V bij IF = 5 A
V20PWM45CHigh Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) gelijkrichter Ultra Low VF = 0,39 V bij IF = 5 A
 
TOEPASSINGEN
Voor gebruik in laagspannings-hoogfrequente DC/DC-converters,
vrijloopdiodes en toepassingen voor polariteitsbeveiliging
 
KENMERKEN
• Zeer laag profiel - typische hoogte van 1,3 mm
• Trench MOS Schottky-technologie
• Ideaal voor automatische plaatsing
• Lage voorwaartse spanningsval, lage vermogensverliezen
• Zeer efficiënte werking
• Voldoet aan MSL-niveau 1, volgens J-STD-020,
LF maximale piek van 260 °C
• AEC-Q101 gekwalificeerd beschikbaar
- Automotive bestelcode: basis P/NHM3
• Materiaalcategorisatie
 
 
Beschrijving
Deze HEXFET® Power MOSFET maakt gebruik van de nieuwste verwerkingstechnieken om een ​​extreem lage aan-weerstand per siliciumgebied te bereiken.
Extra kenmerken van dit product zijn een bedrijfstemperatuur van de knooppunten van 175°C, een hoge schakelsnelheid en een verbeterde classificatie van herhaalde lawines.Deze eigenschappen maken dit ontwerp samen tot een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.
 
Functies :
Geavanceerde procestechnologie Ultra lage aan-weerstand 175°C Bedrijfstemperatuur Snel schakelen Repetitieve lawine toegestaan ​​tot Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Technische productspecificaties:

Meer onderdeelnummer voor General Semiconductor: