Hoge hardheid Hoogtemperatuurweerstand Chemische corrosiebestendigheid Keramische arm voor halfgeleiderapparatuur

Keramische Arm Zirkoniumoxide Keramiek1. Het heeft uitstekende slijtvastheid, chemische corrosiebestendigheid, hoge temperatuurbestendigheid en magnetische weerstand, waardoor het bruikbaar is in extreem zware omgevingen zonder materialen of het milieu te verontreinigen.2. Het beschikt over een hoge taaiheid, hoge buigsterkte en hoge slijtvastheid, evenals uitstekende thermische isolatie-eigenschappen, met een thermische uitzettingscoëfficiënt die dicht bij die van staal ligt.Nano AluminaVanwege de fijne deeltjesgrootte kan nano-alumina worden gebruikt om synthetische edelstenen, analytische reagentia, evenals nano-katalysatoren en -dragers te maken. Bij gebruik in luminescerende materialen kan het hun luminescentie-intensiteit aanzienlijk verhogen. Voor keramiek en rubberversteviging is het meerdere malen effectiever dan gewone alumina, met name bij het verbeteren van de dichtheid, de oppervlaktegladheid en de thermische vermoeiingsweerstand van keramiek. Nano-alumina wordt voornamelijk gebruikt in belangrijke componenten van YGA-laserkristallen en geïntegreerde circuitsubstraten, en wordt ook aan coatings toegevoegd om de slijtvastheid te verbeteren. Hoogwaardige keramische arm ontworpen voor halfgeleiderproductietoepassingen die uitzonderlijke precisie en duurzaamheid vereisen. Producteigenschappen Materiaaleigenschappen: Hoge hardheid, hoge temperatuurbestendigheid, chemische corrosiebestendigheid Zeer nauwkeurige bewerking: Vlakheid van de spuitmondpositie kan binnen 0,02 mm worden geregeld Aangepast ontwerp: Aanpasbare maten (tot ongeveer 400 mm) en gatposities, compatibel met reguliere halfgeleiderapparatuur Mechanische eigenschappen Eigenschap Eenheid Siliciumcarbide Dichtheid g/cm³ 3.15 Vickers Hardheid Hv0.5 2650 Buigsterkte MPa 450 Druksterkte MPa 2650 Elasticiteitsmodulus GPa 430 Breuktaaiheid MPa*m¹/² 4 Poisson's Ratio 0.14 Young's Modulus GPa 430 Zuiverheid siliciumcarbide grondstof % 99 Thermische eigenschappen Eigenschap Eenheid Siliciumcarbide Thermische geleidbaarheid bij 25°C W/mK 110 Smeltpunt °C 2800 Specifieke warmte J/g*K 0.8 Lineaire uitzettingscoëfficiënt 10⁻⁶/K 4 Elektrische eigenschappen Eigenschap Eenheid Siliciumcarbide Diëlektrische constante 1MHz 10 Doorslagspanning V/cm 1×10⁶ Diëlektrisch verlies 1MHz 0.001 Weerstand Ω*cm 10²-10⁶